Russian tunnel diodes: Difference between revisions

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Typos in GI308B and GI308V
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|'''1I308A (1И308А)'''        || '''GI308A (ГИ308А)'''      || Ge  || Switching  || 4.5–5.5 mA  ||  85 mV || 0.43 V || 9 ||        || 1.5–5 pF  || 0.25 nH ||  ||    ||        ||        || +85°C
|'''1I308A (1И308А)'''        || '''GI308A (ГИ308А)'''      || Ge  || Switching  || 4.5–5.5 mA  ||  85 mV || 0.43 V || 9 ||        || 1.5–5 pF  || 0.25 nH ||  ||    ||        ||        || +85°C
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|'''1I308B (1И308Б)'''        || '''GI308B (ГИ307Б)'''      || Ge  || Switching  || 4.5–5.5 mA  ||        ||        || 5 ||        || 0.7–2.0 pF ||  ||  ||  ||  ||  || +70°C
|'''1I308B (1И308Б)'''        || '''GI308B (ГИ308Б)'''      || Ge  || Switching  || 4.5–5.5 mA  ||        ||        || 5 ||        || 0.7–2.0 pF ||  ||  ||  ||  ||  || +70°C
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|'''1I308V (1И308В)'''        || '''GI308V (ГИ307В)'''      || Ge  || Switching  || 10 mA        ||        ||        || 5 ||        || 4.0–10 pF  ||  ||  ||  ||  ||  || +70°C
|'''1I308V (1И308В)'''        || '''GI308V (ГИ308В)'''      || Ge  || Switching  || 10 mA        ||        ||        || 5 ||        || 4.0–10 pF  ||  ||  ||  ||  ||  || +70°C
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|'''1I308G (1И308Г)'''        || '''GI308G (ГИ308Г)'''      || Ge  || Switching  || 10 mA        ||        ||        || 5 ||        || 1.5–5.0 pF ||  ||  ||  ||  ||  || +70°C
|'''1I308G (1И308Г)'''        || '''GI308G (ГИ308Г)'''      || Ge  || Switching  || 10 mA        ||        ||        || 5 ||        || 1.5–5.0 pF ||  ||  ||  ||  ||  || +70°C
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