Russian tunnel diodes: Difference between revisions

From TekWiki
Jump to navigation Jump to search
(Added 1I308G VI Curve)
(Cyrillic Б (romanized B) not the same as Cyrillic В (romanized V))
Line 14: Line 14:


{| border="1" cellpadding="2" cellspacing="0"
{| border="1" cellpadding="2" cellspacing="0"
!Type
!Mil. Type
!Alt.Type
!Comm. Type
!Material
!Material
!Use
!Use
Line 30: Line 30:
!I<sub>R</sub>
!I<sub>R</sub>
!Temp
!Temp
!Data
|-
|-
|'''1I103A (1И103А)           ||                             || Ge  || Amplifier  || 1.3—1.7 mA ||  90 mV ||  -    || 4 || 6 Ω    || T 1-2 pF<br />C 0.42-0.58pF    || 0.2 nH  || 10 GHz ||  ||  ||  ||
|'''1I103A (1И103А)'''        || '''GI103A (ГИ103A)'''      || Ge  || Amplifier  || 1.3—1.7 mA   ||  90 mV     ||  -    || 4 || 6 Ω    || T 1-2 pF<br />C 0.42-0.58pF    || 0.2 nH  || 10 GHz ||  ||  ||  || || [[Media:1i103_gi103.pdf|Data sheet (RU)]]
|-
|-
|'''1I103B/1I103V (1И103Б)''' || '''GI103B/GI103V (ГИ103Б)'''|| Ge  || Amplifier  || 1.3—1.7 mA ||  90 mV ||  -    || 4 || 8 Ω    || T 0.7-1.3 pF<br />C 0.42-0.58pF || 0.2 nH  || 20 GHz ||  ||  ||  ||
|'''1I103B (1И103Б)'''       || '''GI103B (ГИ103Б)'''       || Ge  || Amplifier  || 1.3—1.7 mA   ||  90 mV     ||  -    || 4 || 8 Ω    || T 0.8-1.6 pF<br />C 0.42-0.58pF || 0.2 nH  || 15 GHz ||  ||  ||  || || [[Media:1i103_gi103.pdf|Data sheet (RU)]]
|-
|-
|'''1I104A (1И104А)          ||                            || Ge  || Amplifier  || 1.3—1.7 mA  ||  90 mV ||  -    || 4 || 6 Ω    || T 0.8–1.9 pF<br />C 0.42-0.58pF || 0.2 nH  || 3–15 GHz || ||  ||  ||
|'''1I103V (1И103В)'''        || '''GI103V (ГИ103В)'''      || Ge  || Amplifier  || 1.3—1.7 mA  ||  90 mV    ||  -    || 4 || 8 Ω    || T 0.7-1.3 pF<br />C 0.42-0.58pF || 0.2 nH  || 20 GHz ||  ||  ||  ||  || [[Media:1i103_gi103.pdf|Data sheet (RU)]]
|-
|'''1I103G (1И103Г)'''        || '''GI103V (ГИ103Г)'''      || Ge  || Amplifier  || 1.3—1.7 mA  ||  90 mV    ||  -    || 4 || 8 Ω    || T 1.0-3.2 pF<br />C 0.42-0.58pF || 0.2 nH  ||  5 GHz ||  ||  ||  ||  || [[Media:1i103_gi103.pdf|Data sheet (RU)]]
|-
|'''1I104A (1И104А)          ||                            || Ge  || Amplifier  || 1.3—1.7 mA  ||  90 mV     ||  -    || 4 || 6 Ω    || T 0.8–1.9 pF<br />C 0.42-0.58pF || 0.2 nH  || 3–15 GHz || ||  ||  ||
|-     
|-     
|'''1I304A (1И304А)'''        || '''GI304A (ГИ304А)'''      || Ge  || Switching  || 4.5–5.1 mA  || 420 mV ||        ||  ||        || < 20 pF    ||  ||  ||  ||  ||        || +60°C   
|'''1I304A (1И304А)'''        || '''GI304A (ГИ304А)'''      || Ge  || Switching  || 4.5–5.1 mA  || 420 mV     ||        ||  ||        || < 20 pF    ||  ||  ||  ||  ||        || +60°C   
|-
|-
|'''1I304B/1I304V (1И304Б)''' || '''GI304B/GI304V (ГИ304Б)'''|| Ge  || Switching  || 4.8–5.4 mA  ||  56 mV || 0.4 V  || 8 ||        || < 20 pF    ||  ||  ||  ||  ||  10 mA  || +100°C
|'''1I304B (1И304Б)'''       || '''GI304B (ГИ304Б)'''       || Ge  || Switching  || 4.8–5.4 mA  ||  56 mV     || 0.4 V  || 8 ||        || < 20 pF    ||  ||  ||  ||  ||  10 mA  || +100°C
|-
|-  
|'''1I305A (1И305А)'''        ||                            || Ge  || Switching  || 9.2–10.4 mA  ||  70 mV || 0.4 V  || 8 ||        || < 30 pF    ||  ||  ||  ||  ||  20 mA  || +100°C
|'''1I305A (1И305А)'''        ||                            || Ge  || Switching  || 9.2–10.4 mA  ||  70 mV     || 0.4 V  || 8 ||        || < 30 pF    ||  ||  ||  ||  ||  20 mA  || +100°C
|-     
|'''1I305B/1I305V (1И305Б)''' ||                            || Ge  || Switching  || 9.6–10.8 mA  ||  70 mV    || 0.4 V  || 8 ||        || < 30 pF    ||  ||  ||  ||  ||  20 mA  || +100°C
|-     
|-     
|'''1I305B/1I305V (1И305Б)''' ||                            || Ge  || Switching  || 9.6–10.8 mA  ||  70 mV || 0.4 V  || 8 ||        || < 30 pF    ||  ||  ||  ||  ||  20 mA  || +100°C
|'''1I307A (1И307А)'''        || '''GI307A (ГИ307А)'''      || Ge  || Switching  || 1.8–2.2 mA  ||  65 mV     || 0.4 V  || 7 ||        || < 20 pF    ||  ||    ||    ||        ||        || +100°C
|-
|-
|'''1I307A (1И307А)'''        || '''GI307A (ГИ307А)'''      || Ge  || Switching  || 1.8–2.2 mA  ||  65 mV || 0.4 V  || 7 ||        || < 20 pF    ||  ||    ||    ||        ||        || +100°C
|'''1I308A (1И308А)'''        || '''GI308A (ГИ308А)'''      || Ge  || Switching  || 4.5–5.5 mA  ||  70-100 mV || 0.43 V || 9 ||        || 1.5–5 pF  || 0.25 nH ||  ||    ||        ||        || +85°C
|-
|'''1I308A (1И308А)'''        || '''GI308A (ГИ308А)'''      || Ge  || Switching  || 4.5–5.5 mA  ||  85 mV || 0.43 V || 9 ||        || 1.5–5 pF  || 0.25 nH ||  ||    ||        ||        || +85°C
|-
|-
|'''1I308B (1И308Б)'''        || '''GI308B (ГИ308Б)'''      || Ge  || Switching  || 4.5–5.5 mA  ||       ||        || 5 ||        || 0.7–2.0 pF ||  ||  ||  ||  ||  || +70°C
|'''1I308B (1И308Б)'''        || '''GI308B (ГИ308Б)'''      || Ge  || Switching  || 4.5–5.5 mA  || 70-110 mV ||        || 5 ||        || 0.7–2.0 pF ||  ||  ||  ||  ||  || +70°C
|-
|-
|'''1I308V (1И308В)'''        || '''GI308V (ГИ308В)'''      || Ge  || Switching  || 10 mA        ||       ||        || 5 ||        || 4.0–10 pF  ||  ||  ||  ||  ||  || +70°C
|'''1I308V (1И308В)'''        || '''GI308V (ГИ308В)'''      || Ge  || Switching  || 9.0-11 mA    || 60-110 mV ||        || 5 ||        || 4.0–10 pF  ||  ||  ||  ||  ||  || +70°C
|-
|-
|'''1I308G (1И308Г)'''        || '''GI308G (ГИ308Г)'''      || Ge  || Switching  || 10 mA        ||       ||        || 5 ||        || 1.5–5.0 pF ||  ||  ||  ||  ||  || +70°C
|'''1I308G (1И308Г)'''        || '''GI308G (ГИ308Г)'''      || Ge  || Switching  || 9.0-11 mA    || 60-120 mV ||        || 5 ||        || 1.5–5.0 pF ||  ||  ||  ||  ||  || +70°C
|-
|-
|'''1I308D (1И308Д)'''        || '''GI308D (ГИ308Д)'''      || Ge  || Switching  || 10 mA        ||       ||        || 5 ||        || 0.8–2.0 pF ||  ||  ||  ||  ||  || +70°C
|'''1I308D (1И308Д)'''        || '''GI308D (ГИ308Д)'''      || Ge  || Switching  || 9.0-11 mA    || 70-130 mV ||        || 5 ||        || 0.8–2.0 pF ||  ||  ||  ||  ||  || +70°C
|-
|-
|'''1I308E (1И308Е)'''        || '''GI308E (ГИ308Е)'''      || Ge  || Switching  || 20 mA        ||       ||        || 5 ||        || 3.0–15 pF  ||  ||  ||  ||  ||  || +70°C
|'''1I308E (1И308Е)'''        || '''GI308E (ГИ308Е)'''      || Ge  || Switching  || 18-22 mA    || 80-140 mV ||        || 5 ||        || 3.0–15 pF  ||  ||  ||  ||  ||  || +70°C
|-
|-
|'''1I308J (1И308Ж)'''        || '''GI308J (ГИ308Ж)'''      || Ge  || Switching  || 20 mA        ||       ||        || 5 ||        || 1.0–4.0 pF ||  ||  ||  ||  ||  || +70°C
|'''1I308J (1И308Ж)'''        || '''GI308J (ГИ308Ж)'''      || Ge  || Switching  || 18-22 mA    || 85-160 mV ||        || 5 ||        || 1.0–4.0 pF ||  ||  ||  ||  ||  || +70°C
|-
|-
|'''1I308I (1И308И)'''        || '''GI308I (ГИ308И)'''      || Ge  || Switching  || 50 mA        ||       ||        || 5 ||        || 5.0–20 pF  ||  ||  ||  ||  ||  || +70°C
|'''1I308I (1И308И)'''        || '''GI308I (ГИ308И)'''      || Ge  || Switching  || 45-55 mA    || 100-150 mV ||        || 5 ||        || 5.0–20 pF  ||  ||  ||  ||  ||  || +70°C
|-
|-
|'''1I308K (1И308К)'''        || '''GI308K (ГИ308К)'''      || Ge  || Switching  || 50 mA        ||       ||        || 5 ||        || 2.3–8.0 pF ||  ||  ||  ||  ||  || +70°C
|'''1I308K (1И308К)'''        || '''GI308K (ГИ308К)'''      || Ge  || Switching  || 45-55 mA    || 100-180 mV ||        || 5 ||        || 2.3–8.0 pF ||  ||  ||  ||  ||  || +70°C
|-
|-
|'''3I101A (3И101А)'''        || '''AI101A (АИ101А)'''      || GaAs || Amplifier  || 0.75–1.25 mA || 160 mV ||        || 5 || 24 Ω  || 3 pF      || 1.3 nH  ||  ||    ||      ||        || +85°C
|'''3I101A (3И101А)'''        || '''AI101A (АИ101А)'''      || GaAs || Amplifier  || 0.75–1.25 mA || 160 mV     ||        || 5 || 24 Ω  || 3 pF      || 1.3 nH  ||  ||    ||      ||        || +85°C
|-   
|-   
|'''3I101B/3I101V (3И101Б)''' || '''AI101B/AI101V (АИ101Б)'''|| GaAs || Amplifier  || 1.7–2.3 mA  || 160 mV ||        || 6 || 16 Ω  || < 5 pF ||  ||        ||  ||        ||        || +85°C
|'''3I101B/3I101V (3И101Б)''' || '''AI101B/AI101V (АИ101Б)'''|| GaAs || Amplifier  || 1.7–2.3 mA  || 160 mV     ||        || 6 || 16 Ω  || < 5 pF ||  ||        ||  ||        ||        || +85°C
|-  
|-  
|'''3I101D (3И101Д)'''        || '''AI101D (АИ101Д)'''      || GaAs || Amplifier  || 1.7–2.3 mA  || 160 mV ||        || 5 || 14 Ω  || 2.5–10 pF  || 1.3 nH  ||  ||      ||        ||        || +85°C
|'''3I101D (3И101Д)'''        || '''AI101D (АИ101Д)'''      || GaAs || Amplifier  || 1.7–2.3 mA  || 160 mV     ||        || 5 || 14 Ω  || 2.5–10 pF  || 1.3 nH  ||  ||      ||        ||        || +85°C
|-
|-
|'''3I101E (3И101Е)'''        || '''AI101E (АИ101Е)'''      || GaAs || Amplifier  || 4.5–5.5 mA  || 180 mV ||        || 5 || 10 Ω  || 2–6 pF    || 1.3 nH  ||  ||    ||        ||        ||  +85°C
|'''3I101E (3И101Е)'''        || '''AI101E (АИ101Е)'''      || GaAs || Amplifier  || 4.5–5.5 mA  || 180 mV     ||        || 5 || 10 Ω  || 2–6 pF    || 1.3 nH  ||  ||    ||        ||        ||  +85°C
|-
|-
|'''3I101I (3И101И)'''        || '''AI101I (АИ101И)'''      || GaAs || Amplifier  || 4.5–5.5 mA  || 160 mV ||        || 6 || 7 Ω    || 4.5–13 pF  || 1.3 nH  ||  ||  ||        ||        || +85°C
|'''3I101I (3И101И)'''        || '''AI101I (АИ101И)'''      || GaAs || Amplifier  || 4.5–5.5 mA  || 160 mV     ||        || 6 || 7 Ω    || 4.5–13 pF  || 1.3 nH  ||  ||  ||        ||        || +85°C
|-
|-
|'''3I201A (3И201А)'''        || '''AI201A (АИ201А)'''      || GaAs || Oscillator || 9–11 mA      || 200 mV ||        || 10 || 8 Ω  || 3.5 pF    || 1.3 nH  ||  ||  ||  ||    || +85°C
|'''3I201A (3И201А)'''        || '''AI201A (АИ201А)'''      || GaAs || Oscillator || 9–11 mA      || 200 mV     ||        || 10 || 8 Ω  || 3.5 pF    || 1.3 nH  ||  ||  ||  ||    || +85°C
|-   
|-   
|'''3I201B (3И201Б)'''        || '''AI201B (АИ201Б)'''      || GaAs || Oscillator || 9–11 mA      || 180 mV ||        || 10 || 8 Ω  || 2.5–6 pF  || 1.3 nH  ||  ||  ||  ||    || +100°C
|'''3I201B (3И201Б)'''        || '''AI201B (АИ201Б)'''      || GaAs || Oscillator || 9–11 mA      || 180 mV     ||        || 10 || 8 Ω  || 2.5–6 pF  || 1.3 nH  ||  ||  ||  ||    || +100°C
|-
|-
|'''3I201V (3И201В)'''        || '''AI201V (3И201В)'''      || GaAs || Oscillator || 9–11 mA      || 180 mV ||        || 10 || 8 Ω  || 4.5–10 pF  || 1.3 nH  ||  ||  ||  ||    || +100°C
|'''3I201V (3И201В)'''        || '''AI201V (3И201В)'''      || GaAs || Oscillator || 9–11 mA      || 180 mV     ||        || 10 || 8 Ω  || 4.5–10 pF  || 1.3 nH  ||  ||  ||  ||    || +100°C
|-
|-
|'''3I201G (3И201Г)'''        || '''AI201G (АИ201Г)'''      || GaAs || Oscillator || 16–22 mA    || 210 mV ||        || 10 || 5 Ω  || < 4 pF    || 1.3 nH  ||  ||  ||  ||  || +85°C
|'''3I201G (3И201Г)'''        || '''AI201G (АИ201Г)'''      || GaAs || Oscillator || 16–22 mA    || 210 mV     ||        || 10 || 5 Ω  || < 4 pF    || 1.3 nH  ||  ||  ||  ||  || +85°C
|-
|-
|'''3I201D (3И201Д)'''        || '''AI201D (АИ201Д)'''      || GaAs || Oscillator || 16–22 mA    || 200 mV ||        || 10 || 5 Ω  || < 4 pF    || 1.3 nH  ||  ||  ||  ||  || +85°C
|'''3I201D (3И201Д)'''        || '''AI201D (АИ201Д)'''      || GaAs || Oscillator || 16–22 mA    || 200 mV ||        || 10 || 5 Ω  || < 4 pF    || 1.3 nH  ||  ||  ||  ||  || +85°C
Line 118: Line 123:


{| border="1" cellpadding="2" cellspacing="0"
{| border="1" cellpadding="2" cellspacing="0"
!Type
!Mil. Type
!Alt. Type
!Comm. Type
!Material
!Material
!Use
!Use

Revision as of 04:42, 30 October 2018

This is a collection of characteristic data for Russian tunnel diodes. Most of these are available from various surplus sellers, often on ebay.

Schema of type designations:

  • Gxxxx = Germanium, Commercial grade
  • 1xxxx = Germanium, Military grade
  • Axxxx = Gallium Arsenide, Commercial grade
  • 3xxxx = Gallium Arsenide, Military grade
  • xI1xx (like AI101) are for amplifiers
  • xI2xx (like AI201) are for generators
  • xI3xx (like AI301, GI306) are for switching circuits or general use
  • xI4xx are Backward Diodes for switching circuit and general use


Mil. Type Comm. Type Material Use Ip Vp Vpp Ip / Iv Rd Ct L f IFS IFC IR Temp Data
1I103A (1И103А) GI103A (ГИ103A) Ge Amplifier 1.3—1.7 mA 90 mV - 4 6 Ω T 1-2 pF
C 0.42-0.58pF		 0.2 nH 10 GHz Data sheet (RU)
1I103B (1И103Б) GI103B (ГИ103Б) Ge Amplifier 1.3—1.7 mA 90 mV - 4 8 Ω T 0.8-1.6 pF
C 0.42-0.58pF		 0.2 nH 15 GHz Data sheet (RU)
1I103V (1И103В) GI103V (ГИ103В) Ge Amplifier 1.3—1.7 mA 90 mV - 4 8 Ω T 0.7-1.3 pF
C 0.42-0.58pF		 0.2 nH 20 GHz Data sheet (RU)
1I103G (1И103Г) GI103V (ГИ103Г) Ge Amplifier 1.3—1.7 mA 90 mV - 4 8 Ω T 1.0-3.2 pF
C 0.42-0.58pF		 0.2 nH 5 GHz Data sheet (RU)
1I104A (1И104А) Ge Amplifier 1.3—1.7 mA 90 mV - 4 6 Ω T 0.8–1.9 pF
C 0.42-0.58pF		 0.2 nH 3–15 GHz
1I304A (1И304А) GI304A (ГИ304А) Ge Switching 4.5–5.1 mA 420 mV < 20 pF +60°C
1I304B (1И304Б) GI304B (ГИ304Б) Ge Switching 4.8–5.4 mA 56 mV 0.4 V 8 < 20 pF 10 mA +100°C
1I305A (1И305А) Ge Switching 9.2–10.4 mA 70 mV 0.4 V 8 < 30 pF 20 mA +100°C
1I305B/1I305V (1И305Б) Ge Switching 9.6–10.8 mA 70 mV 0.4 V 8 < 30 pF 20 mA +100°C
1I307A (1И307А) GI307A (ГИ307А) Ge Switching 1.8–2.2 mA 65 mV 0.4 V 7 < 20 pF +100°C
1I308A (1И308А) GI308A (ГИ308А) Ge Switching 4.5–5.5 mA 70-100 mV 0.43 V 9 1.5–5 pF 0.25 nH +85°C
1I308B (1И308Б) GI308B (ГИ308Б) Ge Switching 4.5–5.5 mA 70-110 mV 5 0.7–2.0 pF +70°C
1I308V (1И308В) GI308V (ГИ308В) Ge Switching 9.0-11 mA 60-110 mV 5 4.0–10 pF +70°C
1I308G (1И308Г) GI308G (ГИ308Г) Ge Switching 9.0-11 mA 60-120 mV 5 1.5–5.0 pF +70°C
1I308D (1И308Д) GI308D (ГИ308Д) Ge Switching 9.0-11 mA 70-130 mV 5 0.8–2.0 pF +70°C
1I308E (1И308Е) GI308E (ГИ308Е) Ge Switching 18-22 mA 80-140 mV 5 3.0–15 pF +70°C
1I308J (1И308Ж) GI308J (ГИ308Ж) Ge Switching 18-22 mA 85-160 mV 5 1.0–4.0 pF +70°C
1I308I (1И308И) GI308I (ГИ308И) Ge Switching 45-55 mA 100-150 mV 5 5.0–20 pF +70°C
1I308K (1И308К) GI308K (ГИ308К) Ge Switching 45-55 mA 100-180 mV 5 2.3–8.0 pF +70°C
3I101A (3И101А) AI101A (АИ101А) GaAs Amplifier 0.75–1.25 mA 160 mV 5 24 Ω 3 pF 1.3 nH +85°C
3I101B/3I101V (3И101Б) AI101B/AI101V (АИ101Б) GaAs Amplifier 1.7–2.3 mA 160 mV 6 16 Ω < 5 pF +85°C
3I101D (3И101Д) AI101D (АИ101Д) GaAs Amplifier 1.7–2.3 mA 160 mV 5 14 Ω 2.5–10 pF 1.3 nH +85°C
3I101E (3И101Е) AI101E (АИ101Е) GaAs Amplifier 4.5–5.5 mA 180 mV 5 10 Ω 2–6 pF 1.3 nH +85°C
3I101I (3И101И) AI101I (АИ101И) GaAs Amplifier 4.5–5.5 mA 160 mV 6 7 Ω 4.5–13 pF 1.3 nH +85°C
3I201A (3И201А) AI201A (АИ201А) GaAs Oscillator 9–11 mA 200 mV 10 8 Ω 3.5 pF 1.3 nH +85°C
3I201B (3И201Б) AI201B (АИ201Б) GaAs Oscillator 9–11 mA 180 mV 10 8 Ω 2.5–6 pF 1.3 nH +100°C
3I201V (3И201В) AI201V (3И201В) GaAs Oscillator 9–11 mA 180 mV 10 8 Ω 4.5–10 pF 1.3 nH +100°C
3I201G (3И201Г) AI201G (АИ201Г) GaAs Oscillator 16–22 mA 210 mV 10 5 Ω < 4 pF 1.3 nH +85°C
3I201D (3И201Д) AI201D (АИ201Д) GaAs Oscillator 16–22 mA 200 mV 10 5 Ω < 4 pF 1.3 nH +85°C
3I201E (3И201Е) AI201D (АИ201Е) GaAs Oscillator 16–22 mA 200 mV 10 4 Ω 5–12 pF 1.3 nH +85°C
3I201SH/3I201J (3И201Ж) GaAs Oscillator 45–55 mA 260 mV 10 2.5 Ω < 15 pF < 1.3 nH +100°C
3I201K (3И201К) AI201K (АИ201К) GaAs Oscillator 90–110 mA 330 mV 10 2.2 Ω < 15 pF 1.3 nH +85°C
3I201L (3И201Л) AI201L (АИ201Л) GaAs Oscillator 90–110 mA 330 mV 10 2.2 Ω 10–40 pF 1.3 nH +85°C
AI301A (АИ301А) GaAs Switching 2 mA 180 mV 0.65 V 8 < 12 pF < 1.5 nH - +70°C
AI301B/AI301V (АИ301Б) GaAs Switching 5 mA 180 mV 0.85–1.15 V 8 < 25 pF < 1.5 nH - +70°C
AI301G (АИ301Г) GaAs Switching 10 mA 180 mV 0.8 V 8 < 50 pF < 1.5 nH - +70°C
3I306E (3И306Е) GaAs Switching 1.8–2.2 mA 170 mV 0.85 V 8 4–12 pF 2.4 mA 1.8 mA 4 mA +100°C
3I306G (3И306Г) GaAs Switching 2 mA 170 mV 0.85 V 8 < 8 pF 0.8 mA 0.8 mA 4 mA +100°C
3I306SH/3I306J (3И306Ж) GaAs Switching 5 mA 170 mV 0.85 V 8 < 15 pF 2 mA 2 mA 20 mA +100°C
3I306K (3И306К) GaAs Switching 4.5–5.5 mA 170 mV 0.85 V 8 8–25 pF 6 mA 4.5 mA 10 mA +100°C
3I306L (3И306Л) GaAs Switching 9–11 mA 170 mV 0.85 V 8 < 12 pF 4 mA 4 mA 20 mA +100°C
3I306M (3И306М) GaAs Switching 9–11 mA 170 mV 0.85 V 8 < 30 pF 4 mA 4 mA 20 mA +100°C
3I306N (3И306Н) GaAs Switching 9–11 mA 170 mV 0.85 V 8 15–50 pF 12 mA 9 mA 20 mA +100°C
3I306R (3И306Р) GaAs Switching 4.5–5.5 mA 170 mV 0.85 V 8 4–25 pF 6 mA 4.5 mA 10 mA +100°C


Mil. Type Comm. Type Material Use IF IR VF VR Rd CT Temp
1I401A (1И401А) GI401A (ГИ401А) Ge Back Diode 0.3 mA 4 mA 330 mV @ 0.1 mA 90 mV @ 1 mA 1.2–1.5 pF -55…+70 C
1I404B/1I404V (1И404Б) GI404B/GI404V (ГИ404Б) Ge Back Diode 0.8 mA 4 mA 350 mV @ 0.5 mA 75–105 mV @ 4 mA 1–2 pF
3I402B/3I402V (3И402Б) GaAs Back Diode 0.05 mA 2 mA 600 mV @ 0.4 mA 250 mV @ 4 mA 14 Ω @ 100 mA < 6 pF
3I402G (3И402Г) AI402G (АИ402Г) GaAs Back Diode 0.05 mA 2 mA 600 mV @ 0.4 mA 250 mV @ 4 mA 1.5–3.5 pF
3I402E (3И402Г) AI402E (АИ402Е) GaAs Back Diode
3I402I (3И402И) AI402I (АИ402И) GaAs Back Diode 0.05 mA 4 mA 600 mV @ 0.4 mA 250 mV @ 4 mA 14 Ω @ 100 mA < 10 pF
  • Russian Tunnel Diode 1I308G - VI Curve

    Russian Tunnel Diode 1I308G - VI Curve

Retrieved from "https://w140.com/tekwiki/index.php?title=Russian_tunnel_diodes&oldid=38196"