Russian tunnel diodes: Difference between revisions

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|'''1I307A (1И307А)'''        || '''GI307A (ГИ307А)'''      || Ge  || Switching  || 1.8–2.2 mA  ||  65 mV || 0.4 V  || 7 ||        || < 20 pF    ||  ||    ||    ||        ||        || +100°C
|'''1I307A (1И307А)'''        || '''GI307A (ГИ307А)'''      || Ge  || Switching  || 1.8–2.2 mA  ||  65 mV || 0.4 V  || 7 ||        || < 20 pF    ||  ||    ||    ||        ||        || +100°C
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|'''1I308A (1И308А)'''        || '''GI308A (ГИ307А)'''      || Ge  || Switching  || 4.5–5.5 mA  ||  85 mV || 0.43 V || 9 ||        || 1.5–5 pF  || 0.25 nH ||  ||    ||        ||        || +85°C
|'''1I308A (1И308А)'''        || '''GI308A (ГИ308А)'''      || Ge  || Switching  || 4.5–5.5 mA  ||  85 mV || 0.43 V || 9 ||        || 1.5–5 pF  || 0.25 nH ||  ||    ||        ||        || +85°C
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|'''1I308B (1И308Б)'''        || '''GI308B (ГИ307Б)'''      || Ge  || Switching  || 4.5–5.5 mA  ||        ||        || 5 ||        || 0.7–2.0 pF ||  ||  ||  ||  ||  || +70°C
|'''1I308B (1И308Б)'''        || '''GI308B (ГИ307Б)'''      || Ge  || Switching  || 4.5–5.5 mA  ||        ||        || 5 ||        || 0.7–2.0 pF ||  ||  ||  ||  ||  || +70°C
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