Russian tunnel diodes: Difference between revisions

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Peter

Bureaucrats, Interface administrators, Suppressors, Administrators

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 |'''1I308A (1И308А)'''        || '''GI308A (ГИ307А)'''       || Ge   || Switching  || 4.5–5.5 mA   ||  85 mV || 0.43 V || 9 ||        || 1.5–5 pF   || 0.25 nH ||   ||     ||        ||         || +85 C
 |-
-|'''1I308B (1И308Б)'''        || '''GI308B (ГИ307Б)'''       || Ge   || Switching  || 4.5–5.5 mA   ||        ||        ||   ||        || 0.7–2.0 pF ||  ||  ||   ||   ||  ||
+|'''1I308B (1И308Б)'''        || '''GI308B (ГИ307Б)'''       || Ge   || Switching  || 4.5–5.5 mA   ||        ||        || 5 ||        || 0.7–2.0 pF ||  ||  ||   ||   ||  ||
 |-
-|'''1I308V (1И308В)'''        || '''GI308V (ГИ307В)'''       || Ge   || Switching  || 10 mA        ||        ||        ||   ||        || 4.0–10 pF  ||  ||  ||   ||   ||  ||
+|'''1I308V (1И308В)'''        || '''GI308V (ГИ307В)'''       || Ge   || Switching  || 10 mA        ||        ||        || 5 ||        || 4.0–10 pF  ||  ||  ||   ||   ||  ||
 |-
-|'''1I308G (1И308Г)'''        || '''GI308G (ГИ308Г)'''       || Ge   || Switching  || 10 mA        ||        ||        ||   ||        || 1.5–5.0 pF ||  ||  ||   ||   ||  ||
+|'''1I308G (1И308Г)'''        || '''GI308G (ГИ308Г)'''       || Ge   || Switching  || 10 mA        ||        ||        || 5 ||        || 1.5–5.0 pF ||  ||  ||   ||   ||  ||
 |-
-|'''1I308D (1И308Д)'''        || '''GI308D (ГИ308Д)'''       || Ge   || Switching  || 10 mA        ||        ||        ||   ||        || 0.8–2.0 pF ||  ||  ||   ||   ||  ||
+|'''1I308D (1И308Д)'''        || '''GI308D (ГИ308Д)'''       || Ge   || Switching  || 10 mA        ||        ||        || 5 ||        || 0.8–2.0 pF ||  ||  ||   ||   ||  ||
 |-
-|'''1I308E (1И308Е)'''        || '''GI308E (ГИ308Е)'''       || Ge   || Switching  || 20 mA        ||        ||        ||   ||        || 3.0–15 pF  ||  ||  ||   ||   ||  ||
+|'''1I308E (1И308Е)'''        || '''GI308E (ГИ308Е)'''       || Ge   || Switching  || 20 mA        ||        ||        || 5 ||        || 3.0–15 pF  ||  ||  ||   ||   ||  ||
 |-
-|'''1I308J (1И308Ж)'''        || '''GI308J (ГИ308Ж)'''       || Ge   || Switching  || 20 mA        ||        ||        ||   ||        || 1.0–4.0 pF ||  ||  ||   ||   ||  ||
+|'''1I308J (1И308Ж)'''        || '''GI308J (ГИ308Ж)'''       || Ge   || Switching  || 20 mA        ||        ||        || 5 ||        || 1.0–4.0 pF ||  ||  ||   ||   ||  ||
 |-
-|'''1I308I (1И308И)'''        || '''GI308I (ГИ308И)'''       || Ge   || Switching  || 50 mA        ||        ||        ||   ||        || 5.0–20 pF  ||  ||  ||   ||   ||  ||
+|'''1I308I (1И308И)'''        || '''GI308I (ГИ308И)'''       || Ge   || Switching  || 50 mA        ||        ||        || 5 ||        || 5.0–20 pF  ||  ||  ||   ||   ||  ||
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-|'''1I308K (1И308К)'''        || '''GI308K (ГИ308К)'''       || Ge   || Switching  || 50 mA        ||        ||        ||   ||        || 2.3–8.0 pF ||  ||  ||   ||   ||  ||
+|'''1I308K (1И308К)'''        || '''GI308K (ГИ308К)'''       || Ge   || Switching  || 50 mA        ||        ||        || 5 ||        || 2.3–8.0 pF ||  ||  ||   ||   ||  ||
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 |'''3I101A (3И101А)'''        || '''AI101A (АИ101А)'''       || GaAs || Amplifier  || 0.75–1.25 mA || 160 mV ||        || 5 || 24 Ω   || 3 pF       || 1.3 nH  ||    ||    ||       ||         || +85 C